规格书 |
IP(B,I,P)05CN10N G |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 500 |
FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Standard |
漏极至源极电压(VDSS) | 100V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 100A |
Rds(最大)@ ID,VGS | 5.4 mOhm @ 100A, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 4V @ 250µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 181nC @ 10V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 12000pF @ 50V |
功率 - 最大 | 300W |
安装类型 | Through Hole |
包/盒 | TO-220-3 |
供应商器件封装 | PG-TO220-3 |
包装材料 | Tube |
包装 | 3TO-220 |
通道模式 | Enhancement |
最大漏源电压 | 100 V |
最大连续漏极电流 | 100 A |
RDS -于 | 5.4@10V mOhm |
最大门源电压 | ±20 V |
典型导通延迟时间 | 28 ns |
典型上升时间 | 42 ns |
典型关闭延迟时间 | 64 ns |
典型下降时间 | 21 ns |
工作温度 | -55 to 175 °C |
安装 | Through Hole |
标准包装 | Rail / Tube |
P( TOT ) | 300W |
匹配代码 | IPP05CN10N G |
R( THJC ) | 0.5K/W |
LogicLevel | NO |
单位包 | 50 |
标准的提前期 | 2 weeks |
最小起订量 | 500 |
Q(克) | 181nC |
无铅Defin | RoHS-conform |
汽车 | NO |
我(D ) | 100A |
V( DS ) | 100V |
技术 | OptiMOS |
的RDS(on ) at10V | 0.0054Ohm |
FET特点 | Standard |
封装 | Tube |
安装类型 | Through Hole |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 100A (Tc) |
的Vgs(th ) (最大)@ Id | 4V @ 250µA |
漏极至源极电压(Vdss) | 100V |
供应商设备封装 | TO-220-3 |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 5.4 mOhm @ 100A, 10V |
FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
功率 - 最大 | 300W |
输入电容(Ciss ) @ VDS | 12000pF @ 50V |
闸电荷(Qg ) @ VGS | 181nC @ 10V |
封装/外壳 | TO-220-3 |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
工厂包装数量 | 50 |
晶体管极性 | N-Channel |
连续漏极电流 | 100 A |
封装/外壳 | TO-220 |
零件号别名 | IPP05CN10NGXKSA1 SP000680814 |
下降时间 | 21 ns |
安装风格 | Through Hole |
产品种类 | MOSFET |
商品名 | OptiMOS |
配置 | Single |
最高工作温度 | + 175 C |
RoHS | RoHS Compliant |
源极击穿电压 | +/- 20 V |
系列 | IPP05CN10 |
RDS(ON) | 5.4 mOhms |
功率耗散 | 300 W |
最低工作温度 | - 55 C |
上升时间 | 42 ns |
漏源击穿电压 | 100 V |
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